E/O Q-スイッチEO Q-Switch

KD*P EO Q-スイッチ

E/O Q-スイッチは、KD*Pのような電気光学結晶中で印加電圧によって複屈折の変化を誘導した場合、それを通過した光の偏光状態が変化します。偏光板と組み合わせて使用すると、これらのセルは、光スイッチまたはレーザのQスイッチとして機能させることができます。
当社のE/O Q-スイッチには、利用可能なKD*Pの中で、最高級の歪みのない、高い重水素化のKD*Pを採用しています。高度な結晶製造およびコーティング技術に基づいて、当社では、高い破損しきい値（＞500W/ cm2）で、高消光比（＞ 1000：1）および高透過率（T＞97％）のレーザ波長の各種E/O Q-スイッチを提供しています。

応用

  • OEMレーザシステム
  • 医療/化粧品のレーザ
  • 多彩なR＆Dレーザプラットフォーム
  • 軍事＆航空宇宙レーザシステム

利点

CCI 品質 - 経済的価格 飛び切りの価値
最高級の歪みのないKD*P 高コントラスト比
高損傷しきい値
低1/2 波長電圧
効率的なスペース コンパクトレーザに最適
セラミック開口部 クリーンで高い損傷耐性
高コントラスト比 優れたホールドオフ
素早い電気的接続性 効率的／信頼性の高いインストール
超フラット結晶 優れたビーム伝搬

電気光学特性 @1064nm

1/4 波長電圧 3.3 kV
透過波長フロントエラー < 1/8 波長
ICR >2000:1
VCR >1500:1
静電容量 6 pF
損傷しきい値 > 500 MW/cm2 @1064nm, 10ns

KD*P

ハウジングの寸法 EOQ-208 EOQ-210 EOQ-212
開口径 8 mm 10 mm 12 mm
長さ 39 mm 39 mm 45 mm
直径 25.35 mm 25.35 mm 25.35 mm